IXTC240N055T
200
Fig. 1. Output Characteristics
@ 25oC
330
Fig. 2. Extended Output Characteristics
@ 25oC
180
160
140
120
100
80
60
40
20
0
V GS = 10V
9V
8V
7V
6V
5V
300
270
240
210
180
150
120
90
60
30
0
V GS = 10V
8V
7V
6V
5V
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
4.5
5
200
V DS - Volts
Fig. 3. Output Characteristics
@ 150oC
2.2
V DS - Volts
Fig. 4. R DS(on) Normalized to I D = 120A Value
v s. Junction Temperature
180
160
V GS = 10V
9V
8V
7V
2.0
1.8
V GS = 10V
140
120
1.6
I D = 240A
100
80
6V
5V
1.4
1.2
I D = 120A
60
1.0
40
20
0
0.8
0.6
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
175
2.2
V DS - Volts
Fig. 5. R DS(on) Normalized to I D = 120A Value
v s. Drain Current
90
T J - Degrees Centigrade
Fig. 6. Drain Current v s. Case Temperature
2
T J = 175oC
80
70
External Lead C urrent Limit
1.8
1.6
1.4
V GS = 10V
15V - - - -
60
50
40
30
1.2
1
0.8
T J = 25oC
20
10
0
0
40
80
120
160
200
240
280
320
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
175
I D - Amperes
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T C - Degrees Centigrade
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IXTC280N055T 功能描述:MOSFET 280 Amps 55V 2.8 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
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IXTC62N15P 功能描述:MOSFET Polar MOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
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